英特尔计划在明年推出名为 RibbonFET 的新晶体管技术，以及新的供电方法 PowerVia。PowerVia 是英特尔版本的背面供电技术。今天的芯片是在正面将晶体管与供电和数据传输互连在一起，而背面供电将所有供电互连转移到芯片背面。这会产生两个影响，其一是为正面的数据互连留出了更多空间，其二是供电互连可以更大因此电阻更小。英特尔测试了由当前一代的晶体管和 PowerVia 组合的处理器内核，显示内核频率提升逾 6%，设计更紧凑，功耗降低 30%。过去几代的英特尔芯片在功耗效率上都落后于竞争对手，如 AMD 使用台积电 7 纳米和 5 纳米工艺制造的芯片。